-
M27 дек 14Зачем такое разрабатывать? На любой помойке такого добра, 10-ти летней давности, валяется выше крыши.
-
E27 дек 14Народ, чего вы тут усир**тесь? Хорошее начало, признайте. 90нм это не 130. который был 12-14 лет назад. Через пару тройку лет может и до 22нм дорасём. Jбрудование просто купить нужно. Интел тоже не на собственном оборудовании камни штампует, закупается в европе (помоему швейцарская компания выпускает). Любой из нас может купить станок, просто нужно для этого около $30-40млн. Все когда-то с малого начинали!
-
A27 дек 14у деток один критерий FPS :),
примеров как с 22вт снять 25Gf в мире нет, для этого мозг нужен, а не турбирование частот :)
100 ваттная комбинация из четырех процессоров даст 100-200Gf на пассивном охлаждении и про военный стандарт отказоустойчивости можно и не упоминать. -
M27 дек 14Купить говоришь оборудование? Так ведь не продадим. А если и уговорите, ваш главарь купить не разрешит, скажет "у нас импортозамещение". Так что своими силами придется. Глядишь, году к 2100-му и подтянетесь до 22нм, если воровать меньше начнете.
-
-
D27 дек 14Эльбрус-4С(рабочее название «Эльбрус-2S»):
Характеристика Значение
Функциональные характеристики микропроцессора
Тактовая частота 800 МГц
Число ядер 4
Пиковая производительность микросхемы, Gflops (64 разряда, двойная точность) 25
Пиковая производительность микросхемы, Gflops (32 разряда, одинарная точность) 50
Пиковая производительность микросхемы на смешанных вычислениях, GIPS (32 разряда) 107
Кэш-память данных 1-го уровня, на ядро 64 КБ
Кэш-память команд 1-го уровня, на ядро 128 КБ
Кэш-память 2-го уровня (универсальная) 8 МБ
Организация оперативной памяти До 3 каналов DDR3-1600 ECC
Пропускная способность каналов оперативной памяти 38,4 ГБ/сек
Возможность объединения в многопроцессорную систему с когерентной общей памятью До 4 процессоров
Каналы межпроцессорного обмена 3, дуплексные
Пропускная способность каждого канала межпроцессорного обмена 12 ГБ/сек
Средства оптимизации потока транзакций обеспечения когерентности памяти (снуповая фильтрация) Имеются
Каналы ввода-вывода/RemoteDMA 1, дуплексный
Пропускная способность канала ввода-вывода/RemoteDMA 4 ГБ/сек
Совместимые СБИС южного моста КПИ
Технологические характеристики микросхемы
Технологический процесс 65 нм
Размеры кристалла 380 кв. мм
Количество транзисторов 986 млн.
Количество слоев металла 9
Тип корпуса / количество выводов HFCBGA / 1600
Размеры корпуса 42,5 x 42,5 x 3,2 мм
Напряжения питания ядра 1,1 В
Напряжения питания периферии 1,5 В, 2,5 В, 3,3 В
Рабочий диапазон температуры среды, град. С -60…+85
Повышенная предельная температура среды, град. С +125
>Максимальная/средняя рассеиваемая мощность на частоте 800 МГц 60/45 Вт
Средняя рассеиваемая мощность на частоте 600 МГц в однопроцессорном режиме при напряжении питания ядра 0,9 В 22 Вт -
-
Сделано с
NoNaMe