У меня почему то больше ассоциаций в названиях этих транзисторов как КМОП, т.е полевые, а MOSFET почемуто больше с переключающими силовыми ключами в импульсных схемах.
Наш аналог МОП — Металл-Окисел-Полупроводник он же МДП — Металл-Диэлектрик-Полупроводник (что, в общем, правильней, потому как диэлектрик далеко не обязательно окисел кремния).
КМОП — это комплементарная МОП-структура, там строятся два транзистора (N-МОП и P-МОП)
А еще бывают JFET. Т.н. полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом.
Немножко не так сформулировали. Кремний тут вообще "непричём", просто было удобно экспериментировать с ним.
MOSFET — metal–oxide–semiconductor field-effect transistor. Ну а то, что в данном транзисторе применили кремний, а не, скажем, арсенид галлия, это уже другой вопрос.
Но в статье не зря написано "как в MOSFET". То есть, это "вакуумный аналог" MOSFET.
Собственно, там и полупроводник не нужен — он может быть заменен изолятором.
То есть, это обычная лампа на эффекте автоэлектронной эмиссии и управляющим электродом, который выполнен не в виде сетки между анодом и катодом, а виде сплошной металлической поверхности, рядом с катодом и анодом и отделённый от них тонким изоляционным слоем.
Комментарии
Наш аналог МОП — Металл-Окисел-Полупроводник он же МДП — Металл-Диэлектрик-Полупроводник (что, в общем, правильней, потому как диэлектрик далеко не обязательно окисел кремния).
КМОП — это комплементарная МОП-структура, там строятся два транзистора (N-МОП и P-МОП)
А еще бывают JFET. Т.н. полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом.
MOSFET — metal–oxide–semiconductor field-effect transistor. Ну а то, что в данном транзисторе применили кремний, а не, скажем, арсенид галлия, это уже другой вопрос.
Но в статье не зря написано "как в MOSFET". То есть, это "вакуумный аналог" MOSFET.
Фирменное название может быть, например, таким:
MOVSFET — metal-oxide-vacuum-semiconductor field-effect transistor.
Собственно, там и полупроводник не нужен — он может быть заменен изолятором.
То есть, это обычная лампа на эффекте автоэлектронной эмиссии и управляющим электродом, который выполнен не в виде сетки между анодом и катодом, а виде сплошной металлической поверхности, рядом с катодом и анодом и отделённый от них тонким изоляционным слоем.